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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
18
读取速度,GB/s
16.7
19.9
写入速度,GB/s
11.8
15.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3421
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
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