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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

总分
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

总分
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SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 16.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 8.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 21300
    左右 1.2% 更高的带宽
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 33
    左右 -43% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    17.6 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 8.8
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2910 left arrow 2532

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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最新比较

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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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内存RAM
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Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
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内存RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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