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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
50
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
35
读取速度,GB/s
15.3
18.2
写入速度,GB/s
10.9
11.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3145
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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