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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
比较
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
总分
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
13.8
15.4
写入速度,GB/s
7.8
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1995
2554
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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