RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3104
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-149.A01LF 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link