RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3104
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kllisre 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link