RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
67
104
Autour de -55% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
67
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2030
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Mushkin 996902 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link