RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.4
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
15.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3519
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link