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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
14.9
18.6
写入速度,GB/s
9.6
15.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3519
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
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