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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
15.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3546
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
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