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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
43
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
29
读取速度,GB/s
14.9
17.2
写入速度,GB/s
9.6
15.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3546
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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