RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
43
Por volta de -72% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2542
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link