RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2542
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link