RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2542
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link