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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
43
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
38
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2725
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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