RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
11.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2687
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link