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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
48
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
48
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2895
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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