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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
48
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
48
读取速度,GB/s
14.9
16.8
写入速度,GB/s
9.6
13.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2895
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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