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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2909
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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