Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Pontuação geral
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.9 left arrow 14.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.6 left arrow 8.9
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 43
    Por volta de -48% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.9 left arrow 14.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 8.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2506 left arrow 2909
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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