RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2909
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link