Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Pontuação geral
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.9 left arrow 12.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.7 left arrow 9.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 43
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.9 left arrow 12.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 9.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2506 left arrow 2501
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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