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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
43
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
34
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2910
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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