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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
43
Por volta de -10% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
39
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
9.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
1966
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
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