RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
64
Por volta de -113% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3428
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link