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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Comparar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
49
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
11.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
11.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2534
2848
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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