RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB против Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2534
2848
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link