RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB против Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2534
2848
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Lenovo 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link