Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.8 left arrow 15.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 21300
    Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    35 left arrow 49
    Wokół strony -40% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.3 left arrow 11.0
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    49 left arrow 35
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.8 left arrow 15.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.0 left arrow 11.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2534 left arrow 2848
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania