RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3635
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link