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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
71
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
71
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
1902
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparações de RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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