RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de -43% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
6.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
1338
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link