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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.6
6.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1338
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
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