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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.6
6.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
1338
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
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