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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
13.5
18.4
写入速度,GB/s
7.8
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1932
3583
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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