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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
43
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
25
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
2681
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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