RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2681
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link