Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Причины выбрать
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 43

Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.3 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.4 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 25
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 15.3
Скорость записи, Гб/сек

9.6 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 2681

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB

модули RAM