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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
43
Por volta de -54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
3562
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
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