Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Pontuação geral
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Pontuação geral
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 28
    Por volta de 4% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    19.1 left arrow 11.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    16.2 left arrow 7.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.8 left arrow 19.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.3 left arrow 16.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2057 left arrow 3562
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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