RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3562
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link