RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
59
Por volta de -23% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
48
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2080
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
INTENSO 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link