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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
59
Por volta de -228% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
18
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
15.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3063
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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