RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
20.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
59
Por volta de -211% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
19
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
16.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3485
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link