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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
16.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
59
Por volta de -168% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
16.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3934
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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