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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
59
Por volta de -84% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3405
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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