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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
59
Por volta de -146% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2843
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9905403-092.A00LF 2GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
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