RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
59
Por volta de -18% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
50
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3277
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Mushkin 994083 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link