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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
59
Por volta de -64% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2800
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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