RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
59
Por volta de -119% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3561
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link