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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
59
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
50
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
8.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2424
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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