RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
59
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2479
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link