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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
62
Por volta de 5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
62
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
8.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2086
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
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Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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