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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
59
Por volta de -79% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2601
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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