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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
59
73
Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.0
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
73
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
7.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
1468
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
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Kingston 9905702-121.A00G 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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